트랜지스터 집적도는 무려 4억 개에 이른다고 하네요. 기존 코어2듀오와 비교해도 1.4배 이상 집적도를 높인 것입니다. 이렇게 트랜지스터 집적도를 늘린 데에는 65nm에서 45nm로 제조공정을 미세화한 덕도 있지만 집적도 향상에 따른 숙제였던 누수전류(이거 CPU쪽 맡은지 몇 년 지나서 용어가 떠오르지 않네요. 이해를)를 해결했기 때문입니다.

집적도가 높아지면 당연히 트랜지스터와 트랜지스터 사이의 저항이 커지게 되고 그 탓에 소비전력 증가, 그리고 높아지는 발열 문제를 감수해야 합니다. 펜린은 이를 해결하기 위해 하이케이(High-K)라고 불리는 게이트 절연막과 새로운 금속 게이트 재료인 메탈 게이트를 써서 이런 누수전류를 기존 제품보다 5분의 1 수준으로 떨어뜨렸습니다. 물론 인텔은 자료에서 전력 누수량과 손실량이 기존 제품보다 10배 가량 줄어들었다고 합니다만. 또 납과 할로겐을 전혀 쓰지 않는 제조 공법을 썼다고 하네요.

이건 상당히 큰 변화라고 할 수 있습니다. 장기적으로 트랜지스터 집적도를 더 높이고 이에 따른 안정성과 발열 문제 해결을 동시에 이뤄낼 수 있는 기반이라고 할 수 있으니까요. 외국 벤치마크 사이트에는 펜린의 성능이 기존 캔츠필드보다 8% 가량 높다고 했는데 당장의 이런 성능 변화보다 앞으로의 변화에 관심을 두는 게 더 좋지 않을까 싶습니다.

펜린은 그 밖에도 클록당 명령어 수도 높였습니다. 쉽게 말해 같은 클록이라도 현재 선보인 인텔의 여느 프로세서보다 더 빠르다는 얘깁니다. 물론 뭐 효용성은 직접 확인을 해봐야겠지만.

물론 인텔에 따르면 성능 향상치는 꽤 높군요(물론 인텔 주장입니다만). 그래픽과 게임 성능은 40% 가량, 대역폭 집약 애플리케이션 성능은 50% 가량 향상됐다고 합니다.

아무튼 굳이 무어의 법칙을 얘기하지 않더라도 CPU가 앞으로 지금 같은 속도로 성능을 끌어올리려면 소재의 변화도 필요합니다. CPU쪽 출입한 지 너무 오래되어서 뭐 정확한 얘기가 될 수 없을 수도 있지만 기존에 알던 상식으로 따지면 펜린에 채택된 게이트 절연막과 금속 게이트는 관심을 둘 만하다는 생각이 드는군요.

재미있는 동영상 하나 올라왔다는 말로 시작해서 CPU 얘기만 했네요. 동영상은 펜린 프로세서의 아바타 동영상입니다. 인텔이 제작한 모양이군요. 인텔이 예전에도 블루맨그룹을 써서 눈길을 사로잡은 적이 있었죠. 이 아바타는 어떨지 모르겠네요. 동영상 맨 마지막에 나온 말처럼 펜린이 도입한 기술이 과연 마법이 될까요? ^-^